BGA封裝技術
20世紀90年代隨着集成技術的進步、設備的改進和深亞微米技術的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現，芯片集成度不斷提高，I / O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為滿足發展的需要，在原有封裝方式的基礎上，又增添了新的方式----球柵陣列封裝，簡稱BGA（Ball Grid Array Package）。
隨着芯片集成技術的發展和電子產品向微型化方向的發展，對芯片封裝技術提出了新的挑戰。芯片的封裝技術已經歷經好幾代的變遷（從DIP、TSOP、BGA、CSP），技術指標一代比一代 ，包括芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。
BGA封裝技術的發展越來越成熟，已經被應用到很多集成電路上，這種封裝技術大大縮小了集成電路的體積，增強電路的功能，減小功耗，降低生產成本。
BGA錫球
本產品的純度和圓球度均非常高，適用於BGA，CSP等尖端封裝技術及微細焊接使用，使用時具自動校正能力並可容許相對較大的置放誤差，無端面平整度問題。
錫球合金成份：
合金成分 | 熔點(℃) | 用途 |
固相線 | 液相線 |
Sn63/Pb37 | 183 | 183 | 常用錫球 |
Sn62/Pb36/Ag2 | 179 | 179 | 用於含銀電極元件的焊接 |
Sn99.3/Cu0.7 | 227 | 227 | 無鉛焊接 |
Sn96.5/Ag3.5 | 221 | 221 | 無鉛焊接 |
Sn96/Ag4 | 221 | 232 | 無鉛焊接 |
Sn96/Ag3.5/Cu0.5 | 217 | 219 | 無鉛焊接 |
BGA錫球型號、包裝： 錫球物理參數：
直徑（mm） | 公差（mm） | 真圓度（mm） | 粒 / 瓶 | 克 / 瓶（淨重） |
0.25 | ±0.010 | ＜0.008 | 100萬粒 | 68.92g |
0.30 | ±0.010 | ＜0.010 | 100萬粒 | 119.05g |
0.35 | ±0.010 | ＜0.010 | 100萬粒 | 189.02g |
0.40 | ±0.012 | ＜0.011 | 50萬粒 | 141.50g |
0.45 | ±0.012 | ＜0.012 | 50萬粒 | 200.85g |
0.50 | ±0.015 | ＜0.013 | 25萬粒 | 137.80g |
0.55 | ±0.015 | ＜0.015 | 25萬粒 | 188.10g |
0.60 | ±0.018 | ＜0.016 | 25萬粒 | 238.08g |
0.65 | ±0.018 | ＜0.018 | 25萬粒 | 303.11g |
0.70 | ±0.020 | ＜0.019 | 25萬粒 | 378.52g |
0.76 | ±0.020 | ＜0.020 | 25萬粒 | 484.45g |
0.889 | ±0.025 | ＜0.025 | 12.5萬粒 | 387.66g |
物理特性 | 熔點
（℃） | 密度
（mg/cm3） | 導電性 | 熱膨脹係數
in/in
℃@20℃ | <span style="FONT-SIZE: 12pt; FONT-FAMILY: 宋體; mso-ascii-font-family: 'Times New Ro |
