BGA封装技术
20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式----球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。
随着芯片集成技术的发展和电子产品向微型化方向的发展，对芯片封装技术提出了新的挑战。芯片的封装技术已经历经好几代的变迁（从DIP、TSOP、BGA、CSP），技术指标一代比一代 ，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。
BGA封装技术的发展越来越成熟，已经被应用到很多集成电路上，这种封装技术大大缩小了集成电路的体积，增强电路的功能，减小功耗，降低生产成本。
BGA锡球
本产品的纯度和圆球度均非常高，适用于BGA，CSP等尖端封装技术及微细焊接使用，使用时具自动校正能力并可容许相对较大的置放误差，无端面平整度问题。
锡球合金成份：
合金成分 | 熔点(℃) | 用途 |
固相线 | 液相线 |
Sn63/Pb37 | 183 | 183 | 常用锡球 |
Sn62/Pb36/Ag2 | 179 | 179 | 用于含银电极元件的焊接 |
Sn99.3/Cu0.7 | 227 | 227 | 无铅焊接 |
Sn96.5/Ag3.5 | 221 | 221 | 无铅焊接 |
Sn96/Ag4 | 221 | 232 | 无铅焊接 |
Sn96/Ag3.5/Cu0.5 | 217 | 219 | 无铅焊接 |
BGA锡球型号、包装： 锡球物理参数：
直径（mm） | 公差（mm） | 真圆度（mm） | 粒 / 瓶 | 克 / 瓶（净重） |
0.25 | ±0.010 | ＜0.008 | 100万粒 | 68.92g |
0.30 | ±0.010 | ＜0.010 | 100万粒 | 119.05g |
0.35 | ±0.010 | ＜0.010 | 100万粒 | 189.02g |
0.40 | ±0.012 | ＜0.011 | 50万粒 | 141.50g |
0.45 | ±0.012 | ＜0.012 | 50万粒 | 200.85g |
0.50 | ±0.015 | ＜0.013 | 25万粒 | 137.80g |
0.55 | ±0.015 | ＜0.015 | 25万粒 | 188.10g |
0.60 | ±0.018 | ＜0.016 | 25万粒 | 238.08g |
0.65 | ±0.018 | ＜0.018 | 25万粒 | 303.11g |
0.70 | ±0.020 | ＜0.019 | 25万粒 | 378.52g |
0.76 | ±0.020 | ＜0.020 | 25万粒 | 484.45g |
0.889 | ±0.025 | ＜0.025 | 12.5万粒 | 387.66g |
物理特性 | 熔点
（℃） | 密度
（mg/cm3） | 导电性 | 热膨胀系数
in/in
℃@20℃ | <span style="FONT-SIZE: 12pt; FONT-FAMILY: 宋体; mso-ascii-font-family: 'Times New Ro |
